赉|q?/span> 毕业于清华大学无U电电子学系。毕业后在河北井陉县电讯器材厂Q二极R间主仅R厂技术员?span lang="EN-US">1979q?span lang="EN-US">-1982q在南京工学院电子工E系半导体物理与器g专业攻读士研究生。毕业后在信息业部电子W十三研I所工作,历QNl长、研I室副主仅R主仅R主科研的副所ѝ所长，为研I员U高U工E师。n正^多年来一直从事砷化镓集成电\与微c뀁钠c的技术研IӞ是该领域的专家和学术带头人。科研成果显著，获国家科技q步奖二、三{奖各一ơ，部科技q步奖一、二、三{奖六次Q?span lang="EN-US">1993q获得政府特贴专家称P1994q获国家中青q专家称P2000q聘为国?span lang="EN-US">863信息领域专家委的专家?span lang="EN-US">2002q开始在中国电子U技集团公司工作Q历dl成员兼ȝ理助理、科技委Q副主仅R党l成员兼副ȝ理?span lang="EN-US">2006q_被科技部聘?span lang="EN-US">"栔R?span lang="EN-US">"国家U技重大专项实施Ҏ(gu)~制专家l专Ӟ2008q退休。此外他q曾gQ总装备部军用微电子专业组成员Q卫星有效蝲荷及应用技术专业组成员Q中国半g行业协会副理事长、中国半g分立器g理事ѝ中国微c纳cx术学会付理事长；西安电子U技大学教授、博士生导师Q清华大学电子工E系客教授、副博导Q河北工业大学教授、博士生导师?/span>
1947q_赉|q生于镇江，父母均在江苏d院（南京ȝ大学前nQ担L研组MQ、教授，q曾是同班同学，学习成W分列班前两名。父亲曾公派留学英国Q?span lang="EN-US">1957q加入共产党?span lang="EN-US">1952q_他五岁半上镇江敏成小学（道v街小学）Q四q加入先队?span lang="EN-US">1957q江苏医学院搬迁臛_京，五年U时随父母前往Q就读著名的南京力学学。由于条件得天独厚，他dZ全面发展Q屡获三好学生奖Ӟ初中保送至名师荟萃的南京十中（金陵中学Q，高中又直接考上十中?/span>
清华之梦Q梦x?/span>
儿时Qn正^所居住的苏d院有一上清华大学Q成为大院内的美谈佳话，当听到父母谈论时Q“清华大学”四字也在他q小的心灉|处播下种子，从此他萌生了向往之情。高考前Q十中的大礼堂里挂满了各大学的介l，清华大学的“清华园Q红色工E师的摇”这一响亮口号触动人心Q他暗下军_报考。当晚，景色宜h的清华园奇地进入他的梦境：水淙淙Q荷叶田甎ͼ青青弥望?span lang="EN-US">1964q秋Q他l于圆梦清华大学Q成为无?span lang="EN-US">5班电真空技术专业的一名学生。入学那天，转过旧水利馆Q前往9h的\上，半年前的梦境竟栩栩如生展现在眼前Q素U新霁，林水然。行走其_他心L怡?
清华教育为国育才Q鼓励学生勤学励志。忙的学习生开始后Q对赉|q_响最q是系U研标杆、又U又专的典范查良镇学长，那时他已研制出真IpQ又是新中国首批先队员。榜样作用活灉|玎ͼ胜于说教。查良镇的钻研精激励鞭{着赉|qI他立志在U研上有所建树、有一番作为。夏夜，老图书馆隔水而望Q翠色和烟。拾U入馆，大门高敞Q明H映，桌几整洁Q邺架宏构。学习气氛安静肃Ӟ他和同学们心以致q，竿头日进。在争分夺秒的日子里Q图书馆未必能占得位，好在p馆里亦能寻得合适场所。他也更多在宿舍埋头苦读Q八名室友围坐在桌旁，旉滑向夜分…?/span>
在清华图书馆和徐永h(hun)的合?/span>
理论实践Q方法ؓ?/span>
时Q清华大学校长蒋南指出，学校不提供“干_”、“面包”，而是教会学生分析解决问题的“猎枪”、“鱼U”等工具、方法。在赉|q眼中“立h人”的“树人”树立方法论Q立德则包括宽仁律己Qؓ人师表。马克思主义指明，人类历史是从必然王国走向自由王国的历双Ӏ他q学习毛d的“实践论”、“矛盾论”，深刻领?zhn)“实践出真知”、“抓主要矛盾”等基本原理?/span>
在南京十中时期，赉|q面对繁重功课，深加汲取Q融会诏通，成W一直拔。到大学阶段Q他更善于抓住本质，勤思磨研，不断ȝҎ(gu)Q将知识转化q认知。在高等数学译֠上他一边记录讲译ֆ容，一Ҏ(gu)括教学思\。每章节内容、题型、解题思\各有LQ他认真加以ȝ归纳Q高中数学知识多是线性问题，而大学数学则多ؓ非线性问题；导数是变化率Q积分是不规则的曲线面积……他灉|动脑Q钩沉烦隐，W一学期高等数学考试成W?span lang="EN-US">100分。他q在英文学习中运用交替学习法、@环记忆法。此外，他重视实践基课，在文革“复N革命”期间积极参加真I实验，首次z?zhn)扩散c机械܇Q全心绘制电真空解剖图，打下了工E制囄坚实基础?/span>
体育ȝQ磨砺意?/span>
清华一向高度重视体育运动，其磨l意志品质的作用。n正^从小热爱体育Q初三因跳高H出Q成ZU运动员。中学他擅长排球Q是南京十中排球q动员。在清华Q他利考上入校排球队成为副L。当q_他所在校代表队效仿日本女排教l大村֍文的鬼训练Q^时勤学苦l，l常在训l场地摸爬滚打，挥汗如雨Q苦l防守技术。他感到Q体育锻g后头脑格外清醒，学习劲头更大、效率更高。清华代表队qʎ天|参加校际比赛Q那q代表队同学的考试q_成W?span lang="EN-US">88分，可谓品学g?
清华h1968q在西校?/span>
陶冶情操Q开阔胸怀
大学正是建造“自q国”的阶段Q清华鼓励学生组l参加各U集体活动。作为班长，赉|q积极参加班U各Ҏ(gu)动?span lang="EN-US">1964q国庆节Q他和同学们一起参加天安门游行zd。夜q降_华灯初上Q在金水桥下Q同学们载歌载舞Q激情澎湃，陉在未来徏讄国的憧憬之中。那q金U时节，他和班里同学一h登长城。他们从清华园站乘坐火车抵辑օ辑ֲ。山川满目，烽燧遥?zhn)Q落照衔云，他和同学们感受到国山河壮美Q爱国豪情a然而升。暑假，在“学兵“活动中他随校代表队在颐和园参加水兵q，q在炊事班兼d务长负责伙食。学校生zM富多彩，在其中他陶冶情操Q开阔胸怀Q得C更多历练Q清华无U电pȝ学生时代留下了不美好记忆。冬日清晨，他步Z(ji)h宿舍Q趁着清气爽背诵英文Q晨曦瞳瞻I霞光万道QE烟叠，他的目光投向了远斏V?/span>
未来的科研道路既需要在实践中运用方法论Q深中肯E，把握关键Q抓主要矛盾Q又需要专心致志，心无旁骛Q久久ؓ功，个人发展与国家需要紧密结合v来，为祖国的U研事业做出贡献?/span>
64q无05班在八达?/span>
工厂ȝQ心无旁?/span>
1970q_赉|qx业，被分配到沛_省井陉县赵庄岭公Cְ作村附近的井陉县电讯器材厂——深处偏d沟的县办军工三线厂。他背着x包、铺盖卷前往报到Q成为制造电池R间的工h?/span>
工厂设有甉|车间和二极管车间Q他在电池R间负责配电解涌Ӏ清华hh自强不息的精，毕业时同学们鼓励互勉“好好干”。他U极做好本职工作同时和老师傅一h甉|工艺革新。进厂一q后Q在原锗二极R间搬q到“二讯厂”后Q厂里就把新Z极管的重Ml他QQ命他为硅二极筹备小l组ѝ?{徏二极线需要蒸发金属的蒸发収ͼ于是他前往140里之外的矛_庄河北半g研究所Q信息业部W十三研I所Q；该所是井陉县电讯厂的援徏单位Q求援了一C库中废旧的蒸发台。依据工求他对蒸发台的结构重新设计，原来笨重的金属罩改ؓȝ钟罩Q将新设计绘制图U，请工E师傅加工，对已淘汰的旧蒸发台进行了d攚w，q和师傅一h心清z扩散܇、机械܇Q加入新沚w新利用，变废为宝。ؓ此，他还带队亲ʎ上vQ在上无十七厂学习二极管工艺Q得到无U的大力帮助?span lang="EN-US">1973q_他带领小l自建厂房，自制扩散炉、氧化炉、去d水和试仪器{设备，开关二极管Uѝ新的硅二极R间徏成后Q他担Q二极R间主任，负责生和解军_U技术难题。例如二极管的正向压降d现L动，他发现是因ؓ扩散后在硅表面形成了一层硼玻璃，若后l的二次氧化不充分，其腐蚀后易形成D留。找到关键问题后Q他立即加强了关键工艺控制。这期间他还自学半导体，购买格鲁夫的《表面物理》等Q探索技术问题。二极管车间的量稳步上升，?span lang="EN-US">1976q遇上基于分立器件的台式计算机发展机遇，产量已达百万Q净利润?span lang="EN-US">30万元?span lang="EN-US">1978q他光荣地加入了中国׃党，实现了在清华大学开始的志愿?/span>
南工生Q科研v?/span>
然而，随着集成电\的兴P工厂的二极管销路阻断，资金匮乏Q无力更新换代?span lang="EN-US">1978q初清华无线늳l工厂致函，希望赉|q校回炉再造，当时他n兼全厂技术员、R间主任，是技术骨qԌ未获工厂同意。同q秋Q研I生考试制度恢复。希望重燃，他下定决心，大胆试。经q首考短暂挫折和一q时间的准备Q?span lang="EN-US">1979q他再次步入考场Q专业考试W一题涉及有效质量的概念Q他用固态电子能带的偏微分方E一挥而就Q哲学第一题是列宁关于物质的定义，他又一字不差。他充分发挥基础雄厚、自学能力强、善抓重点的优势Q一举考入南京工学院电子工E系Q?span lang="EN-US">6p）Q攻dg物理与器件专业。全?span lang="EN-US">17试Q仅录取他一人?/span>
南工ȝ成ؓ他科研生涯的LQ磨砺出q硬的科研本领。第一Q科研外语综合水q_到全面提升。他抓住U技p中一词多义、句型套用关联的特点Qƈ在大量阅L献中实践Q强化了阅读文献的技能——阅L献轻松自如，打牢了科研知识基。第二，U研选题能力不断提高。当Ӟ南工半导体教研室正研I硅MIS太阳甉|Q他选择?span lang="EN-US">MIS太阳甉|中的薄层介质膜作ؓ研究NQ随后深入阅ȝI上癄相关文献Q记录了五大本笔记。采用椭偏A量Ҏ(gu)可同时获得硅上介质膜的膜厚和折射率，但当介质厚度低于50埃后Q不同厚度的薄膜中决定薄膜折率的椭偏A?/span>?/span>参数盔R合，无法分L薄介质膜的折射率。当时国际上有些研究者将q一层超薄介质设定ؓ二氧化硅Q由此将薄膜的折率讑֮?span lang="EN-US">1.47Q然后依据椭偏A到的δ参数来得到上薄介质膜的膜厚。国际上也有些研I者通过各种表面分析Ҏ(gu)提出Si表面上超薄氧化层不同的结构模型。他采用低温热氧化方法制备了多个不同厚度的硅上超薄介质膜样品Q到南化公司采用新引q的表面分析讑֤Ҏ(gu)个样品进行俄歇谱?span lang="EN-US">XPSql合分析Q发现这层物质是q、氧化亚、一氧化、二氧化等l成的合体SiOX,?span lang="EN-US">X值随厚度而变化，为此Q他依据分析l果构徏了超薄介质的SiOx的综合模型。计出X|据此查表得出SiOX折射率。将椭偏仪测到的δ参数?span lang="EN-US">SiOX折射率代入他用计机语言~好的椭偏A量函数公式Q通过计算机即可得到更接近实际的测量厚度。该研究成果发表在“南工学报”和“半g学报”上Qƈ荣获电子部科技q步二等奖。通过在南工的ȝQ他认识刎ͼ一定要选小而深、国际上存在争论、尚无定论的NQ才能有所创新。他的硕士论文获评优U论文Q毕业后他被分配C位于矛_庄的电子W十三研I所?/span>
薄氧化层测厚技术获奖证?/span>
׃肯綮Q持l攻?/span>
电子W十三研I所是我国四机部最早的半导体研I所Q也是我国首个晶体管的共同攻兛_位和首块实用化集成电路发明地。他入所时正值研制第二代半导?span lang="EN-US">GaAs功率器g处于d状态的最困难时期Q他作ؓ十三所文革后的首位研究生，被安排在W五研究室——挑战最大、最吃紧的前沿，以普通技术员w䆾Q在502l从事光d艺。十三所战功赫赫的工E师都在一U，组中十几h全是拔尖人才Q他在此环境下脱颖而出?
当时Q十三所已攻下微?span lang="EN-US">X波段100毫瓦?span lang="EN-US">500毫瓦{?span lang="EN-US">GaAs中、小功率器gQ然而当器g的L宽按比例增致瓦器g所需L宽时Q流片出的器件增益ؓ零分贝，Ҏ(gu)久攻不下。面寚w题，赉|q_做好光刻工艺的同时也U极参与d设计工作Q采用抓主要矛盾的思\Q分析增益ؓ零的原因。通过GaAs器g{效电\模型的分析，当增加器件L宽较大后Q在此器件物理模型中采用I气桥面接地的电感这一寄生参数显著增加Q导致增益大q下降。凡事“预则立Q不预则废”。在L分配至十三所工作Ӟ他已有备而来Q将微L电\斚w书籍从南工的无线늳Q?span lang="EN-US">4p）的同学借来阅读Q包括清华无U电p高保薪教授的《微带电路》等。他q写信和搞微波的4pȝ同学Q咨询问题，验证分析。正在此Ӟ4pȝ李嗣范教授从日本带回?span lang="EN-US">X波段瓦的器Ӟ得知消息后，他认为机会难得，于是用五支自制的X波段500毫瓦子Q交换到其中一支。当时国际上公开发表文献上报道：X波段?span lang="EN-US">GaAs功率的多指器件的单指栅宽不能过125微米Q一旦超q，会导致传输的信号大幅衰减。而从日本引进的瓦U器件的单指栅宽H破了这一限制Q给他新的启C。他再次计算了单指栅宽的信号的传输损耗和寄生接地甉|的传输损耗，权衡后得出单指栅宽、L宽和面接地的寸的最优设计方案。课题组长李松法研究员按照新Ҏ(gu)重新设计制作版图Q经全组同志的努力第一ơ投片即h功，器g的增益上升到4-5dBQ旗开得胜Q难题解冻I该课题组?span lang="EN-US">X波段GaAs瓦功率器项目g荣获电子部科技q步一{奖Q他在十三所脱颖而出Q所里将更重的Q务交l他?/span>
1985q_N又接t而至。国家“六五”攻关Q务要求制?span lang="EN-US">X波段砷化镓的微L功率单片集成电\Q?span lang="EN-US">MMICQ，卛_GaAs衬底材料上制备包含功率器件和匚w电\的单片集成的两功率攑֤器，用于重点工程。有位老同志攻关三q_制成了放大器Q但中心频率ME_、带宽较H，久攻不下Q而离完成d已是最后的一q了。ؓ此，室里专门成立了新的攻兛_l?span lang="EN-US">504l，赉|qx任课题组ѝ他首先阅读文献Q发挥优势，详查国际?span lang="EN-US">GaAs单片功率集成电\的相x献，已有文章报道Q当匚w电\?span lang="EN-US">GaAs微带之间的间距小?span lang="EN-US">3?span lang="EN-US">w/hӞ怺之间会生交扰效应，会媄响电路的性能。经CAD计算模拟原设计的攑֤器电路性能正常Q而分析原单片电\的设计版图时Q他发现匚w电\的两个微带间距太q（仅有1.5?span lang="EN-US">w/hQ，判断其所产生的交扰效应是影响频率性能的关键。他重新设计了电路的版图Q将匚w电\由微带改成集d数的新方案，q感和电容l成匚w电\Q与微带Ҏ(gu)相比较既~小了电路的寸又便于拉开匚w元g的距R在全组的努力，包含原设计的老邓研究员的全力参与Q新版一ơ投片成功，频率E_Q且带宽增加?span lang="EN-US">5倍。据此又完成了两U?span lang="EN-US">MMIC的投片，l用户用，满整机要求?span lang="EN-US">1985q当q实现定型鉴定ƈ按时完成dQ?span lang="EN-US">1986q此国家的六五攻关Q务——砷化镓微L单片功率集成电\攑֤器获电子部科技q步一{奖、国家科技q步三等奖?/span>
上世U?span lang="EN-US">80q代中期Q国内微波通讯蓬勃发展?span lang="EN-US">504组瞄准当时微L通信急需?span lang="EN-US">GaAs微L振荡进行新的攻养I原制作的I气桥面接地l构的器件用于微波振荡管时增益偏低，仅有五六个分贝，工作频率d10GHz左右徘徊。ؓ了攻?span lang="EN-US">18GHz的频率，如何提高增益Q问题在哪？他再ơ大量查阅国际文献。在国际MTT会上Q报道了采用一U源区穿孔技术，?span lang="EN-US">GaAs功率MMIC的频率一下提高至28GHz。而能否从GaAs多栅器g的源区的I气桥面接地l构改ؓ源区直接接地的结构，会使接地寄生电感更？他决定带领小l的工程师自行研制一套源区穿孔工艺。经计算Q新l构器g的寄生电感大q下降，且将芯片U减薄至20微米Q在从芯片背面镀上一层厚金，更易于散热，使器件工作结温进一步降低?span lang="EN-US">1987q_高频高增益砷化镓功率器g制成Q工作频率上升至18GHzQ在12GHz下的功率增益?span lang="EN-US">10-11分贝。经微L通信的用户用，反应很好。该器g获得电子部科技q步二等奖，q得到大量应用?/span>
GaAs 功率MMIC获奖证书
高屋建瓴Q勇担重?/span>
1986q_赉|q_后担d三所W五研究室副MQ、主仅R?span lang="EN-US">1987q后又提为副所长，开始主全所U研。随着卫星通信的发展，国际上已实现?span lang="EN-US">C波段的星用真I波管功率攑֤器被星用GaAs固态放大器所替代。我国发展通信卫星也急需用于转发器中的核心部?span lang="EN-US">GaAs固态放大器。十三所一直研I砷化镓大功率器Ӟ固态放大器之核心）,国家重Q意味重大发展契机Q在毕所长的带领下他军_承接国家急需的Q务，一个研I所要发展必L国家之所急，敢打仗?span lang="EN-US">1991q?span lang="EN-US">5?span lang="EN-US">29日上U下达了ddQ时间紧q，仅剩一q九(ji)个月QQ务艰巨，是国内首ơ研发高可靠的星?span lang="EN-US">GaAs固态放大器。大会战成立了“两师”系l，毕所长担任行政L挥，他担dL挥兼总设计师Q组l全所8个研I室500人展开会战。最l星用固攄会战取得完胜?/span>
面对全新N、重重难养I他调动全所力量Q集思广益，齐心协力Q组l会战，H破了多关键技术：以高可靠pdGaAs微L功率器gZ的微波放大链Q微?span lang="EN-US">GaAs大功率内匚w与结温精测量技术；金属陶瓷大腔体封装技术；以高可靠Si双极静电感应功率开关管Z的一体化开关电源技术；抗浪涌电的固态开x术；星用的保险丝技术；薄壁金属多腔攑֤器外壛_星用一体化固放可靠性设计与工艺技术等。经q全所同志的一q零?ji)个月的日夜奋战Q一体化的星?span lang="EN-US">GaAs功率攑֤器研制成功，完成了上卫星的达载Q务，其国产化率达99%Q用性能优于引进产品Q常期稳定可靠。ؓ此n正^荣立电子部个Z{功Q十三所该项目获国家U技q步二等奖、电子部一{奖?span lang="EN-US">C波段的星用固态放大器的研制成功开创了国固态放大器的先治I十三所l箋研制成功了气象卫星、通讯卫星、导航卫星和载h飞船{固态放大器和微波组Ӟ不断推动高可?span lang="EN-US">GaAs微Llg的国产化q程?/span>
GaAs一体化固态功率放大器获奖证书
在神舟一号发成功会?/span>
1993q_毕所长上调后Qn正^被Q命ؓ所长，作ؓq轻的所长，面对新的dQ他学习了“领导科学”，认识CQ何事物发展均有其规律性、特D性，U研工作和管理工作在道理上是盔R的。领导十三所发展也是一门科学，要掌握管理的规律性，当好所领导班子的班ѝ他在所领导班子中明分工，qŞ?span lang="EN-US">A?span lang="EN-US">B角，他非常尊重每位付所长，使他们有职有权，他和党委书记形成共商大事的格局。他主要负责两g事，一是把握所发展的科研方向，二是带好所班子Q对全所工作负总责?/span>
1992q年初，微电子专业组成立Q他成ؓ首届国家U微电子专业l成员，q入国家战略制定的专家层面。他电?span lang="EN-US">13所的发展和国家微电子的发展紧密相结合。他提出的发?span lang="EN-US">GaAs微电子的被采UIqؓ后箋pd的星?span lang="EN-US">GaAs固态放大器?span lang="EN-US">GaAs MMIC的大发展所验证?/span>
l江泽民M记汇报微电子预研成果
在所U研方向上，他徏立了GaAs功率器g与集成电路重点实验室Q推?span lang="EN-US">GaAs集成电\的发展，在所光电子领域推动发展了GaN兰光LED和瓦U的半导体激光器Q同时他在发展微电子机械pȝQ?span lang="EN-US">MEMSQ和C?span lang="EN-US">SiC?span lang="EN-US">GaAs宽禁带半g两个新领域做A献。上世纪80q代末到90q代初国际上开始发?span lang="EN-US">Si?span lang="EN-US">MEMSQ他敏锐发现q一“小机器Q大作ؓ”的新的方向Q是微电子两l工艺技术向三维工艺在微电子和微机械交叉领域的新发展。每q十三所都有“所控课题”，赉|q立即给情报室下NQ指明业务方向，q踪MEMS的发展?span lang="EN-US">1995q_当国家开始重?span lang="EN-US">MEMS发展Ӟ13所在微电子专业l中能提供厚厚一本国?span lang="EN-US">MEMS发展资料Q支撑了微电子专业组?span lang="EN-US">MEMS领域发展。在情报先行的条件下Q在所里，他抽调精兵强安排到所里一条四英寸晶圆的硅工艺U开?span lang="EN-US">MEMS的预先研IӞ拉开了十三所MEMS发展的序q。ؓ此，十三所、清华和北大成ؓ我国发展MEMS的“北斚w三角”，十三所是中国微c纳cx术协会的成员单位Q作为发起h之一Q他ZQ微纳技术协会常务副理事ѝ?/span>
90q代后期国际上开?span lang="EN-US">SiC?span lang="EN-US">GaNZ的新一代宽带半导体功率器件的研究Q作为微波功率器件的专家Q他一直关注这C代半g的发展动向，立即安排了所控情报课题研IӞq在所里从事前L研I的重点实验室安排宽带半导体功率器件的预先研究Q研发出国内首款GaN HEMT器g?span lang="EN-US">1999q_赉|q_d?span lang="EN-US">973计划的新器g专家l组长，他徏议把在功率器仉域具有发展潜力的宽禁带半g材料和器件写入《发展纲要》。到中国늧工作后，他分基领域工作Q他带领集团所?span lang="EN-US">13所?span lang="EN-US">55所?span lang="EN-US">46所{研发力量，联合全国最优秀高校、中U院{研I单位申报ƈl织宽禁带半g材料与器件的dQQ973目的首席专Ӟ该攻关Q务也极大推动了十三所在宽带半导体功率器件的新发展?/span>
2001q江泽民M记到电子13所视察
CU开始部属电子所q来攚w的机遇，上军_46个研I所和所属企业组建集团公司，2001q?span lang="EN-US">9月中l部批了{备l，赉|qx{备l的成员之一Q?span lang="EN-US">2002q中国电子科技集团公司成立。他历Q中国电子U技集团公司的党l成员兼ȝ理助理、科技委Q副主仅R党l成员兼副ȝ理。中国电子科技集团公司是唯一h23个元器g基础研究所的电子集团，在国家发展电子基斚wh重要责Q。新的工作岗位他能在更大的舞台上ؓ国家发展献计献策?span lang="EN-US">2000-2006q作?span lang="EN-US">863信息领域的专家参与了高端集成电\专项的发展战略和目的顶层管理，2003q作题负责hl织领导中国늧?span lang="EN-US">48所d863的课?span lang="EN-US">100nmd注入机?span lang="EN-US">2004q他在有关会议上提出元器件自d控发展的Q?span lang="EN-US">2005q将包含宽禁带半g和半g光电子等内容的“先q半g”项目上报，后被U_国家U技重大专项的“核高基”（核心器g、高端芯片、基软gQ项目之中?span lang="EN-US">2006q_他被U技部聘?span lang="EN-US">"栔R?span lang="EN-US">"和“极大规模集成电路工艺和讑֤”两个国家科技重大专项实施Ҏ(gu)~制专家l专Ӟ参加重大专项的方案制定?span lang="EN-US">2008q?span lang="EN-US">8月，“核高基" 重大专项正式启动Ӟ他于5月䆾刚退休。“ؓ国健康工作五十q”的清华_Ȁ׃l箋工作在他所热爱的半g事业上。他在“核高基" 的宽带SiC?span lang="EN-US">GaN微L功率器gN中Q总设计师Ql组l领gq?span lang="EN-US">973目形成的国内优势团队，预先研I成果提升到工程化品?span lang="EN-US">2012q_又牵头申报了新的973目QQ首席专家l箋l织领导高频高速的GaN集成电\的前L技术发展，2016q全面完成。他至今仍然是半g行业协会的专家组的付l长Q科技委电子领域专Ӟ重点实验室学术委员会的付MQQ快乐地为国家的半导体事业A献智慧?/span>
赉|q_康地为祖国工作五十年
访谈xQ我们不仅深思：是什么造就了n正^教授累篏的科研成果？Z么他总能把握方向Q深中肯E，让难题迎刃而解Q一是他善于q用矛盾论，抓主要矛盾。他_U研工作每遇困难Q必有关键因素在起关键作用，能否扑ֈ它至关重要，q正是矛盾论的核心。抓住问题的核心Q运用矛盾论Q着力于关键点，集中发力Q解决主要矛盾，其他问题p刃而解了。科研所的发展上要有战略眼光Q要善于前的寻求国家的需求，解决国家需求就是核心问题，是研究所发展的主要矛盾。二是他专心致志Q心无旁骛。他Q科研教育重在志存高q、全心投入，一心一意追求h生h(hun)值的实现。立于长期实践的专心致志、久久ؓ功能攉期精一之功Q最l实C人理想与国家需要的更好l合?/span>
采访合媄
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采访 | 陈文华、万军、乔元春
摄媄 | 部分囄由受访者提?/span>
撰稿 | 万军
清华校友M服务?/span>
清华校友M订阅?/span>