?html> 陈怡然校友发明新型?sh)子自旋忆阻?清华校友M(x)

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陈怡然校友发明新型?sh)子自旋忆阻?/h2>
2009-03-20 |

2009q?span lang="EN-US">3?span lang="EN-US">16?/span>Q美国电(sh)气与?sh)子工程师协会(x)?x)刊?span lang="EN-US">IEEE Spectrum》发表当月专题报道，介绍了清华校友陈怡然博士在国际纳c_件研I域的一w要A(ch)献：(x)?sh)子自旋忆阻器?span lang="EN-US">Spintronic MemristorQ?span lang="EN-US">

2008q_(d)惠普公司的科研h员在《自然》杂志上W一ơ展CZ除已知三U经典电(sh)路元件电(sh)阅R电(sh)宏V电(sh)感之外的W四U基本电(sh)路元Ӟ(x)忆阻器，震惊了国际电(sh)子技术界。忆d的电(sh)d以被经它的甉|改变Q而且q种变化当断甉|q能l箋保持。这׃得忆d成ؓ(f)天然的非挥发性存储器Q它的出现将佉K成电(sh)路元件变得更，而且拥有可以模拟复杂的h脑神l功能的能力?span lang="EN-US">

今年三月Q美国电(sh)气与?sh)子工程师协会(x)的《电(sh)子器件快报》杂志发表了清华校友陈怡然博士?qing)其同事的文章，阐述了三U基于纳c电(sh)子自旋效应的性忆d的例子。这U新型电(sh)子自旋忆d可以在从皮秒量到微U量U等不同的速率下进行电(sh)d的转换Q以满不同应用的需要。与惠普公司描述发明的忆d件相比，q种器g的应用将?x)更灉|Q而且更容易制造?span lang="EN-US">

曄在去q?span lang="EN-US">5月第一个描q忆d的惠普研Ih?span lang="EN-US">Stanley Williams评论_(d)(x)“我认ؓ(f)忆ȝ性和其他现象诸如?sh)子自旋q徙联系在一h非常的研I。我们需要对q一发现Q对U学的）意义有更多的探烦。?span lang="EN-US">

陈怡然博士和文章的另一位主要作?st1:personname w:st="on" productid="王小?>王小?/st1:personname>博士目前均就职于世界上最大的盘刉企业希捷公司?span lang="EN-US">

?a name="OLE_LINK1">陈怡然博士的个人简介?span lang="EN-US">

陈怡然Q?span lang="EN-US">1976q?span lang="EN-US">2月生Q?span lang="EN-US">1994q考入清华大学?sh)子p，1998q提前一q毕业；1998q_(d)2001ql在?sh)子pL诠Z物理电(sh)子学”专业硕士学位，q以专业W一名的成W毕业。是优秀新生奖学金、优良毕业生U号以及(qing)优秀士论文的获得者，曄获得数十个奖学金?qing)荣誉称受同时热心社?x)工作，曾担L华大学电(sh)子工E系学生?x)主席?qing)清华大学校研I生团委副书记等C会(x)工作职务Q是北京市学联第七次代表大会(x)代表?span lang="EN-US">

留学期间Q陈怡然在美?span lang="EN-US">Purdue大学获得?sh)子工程博士学位Q师从国际集成电(sh)路领域著名学?span lang="EN-US">Kaushik Roy教授Q美国电(sh)气与?sh)子工程师协会(x)?x)士，Purdue大学讲席教授Q?span lang="EN-US">

陈怡然博士是国际集成电(sh)路设计领域的知名青年学者。他的研I方向包括纳c半导体及(qing)非半g大规模集成?sh)\设计与计机辅助设计法Q低功耗电(sh)路设计及(qing)计算Zpȝ构，以及(qing)下一代存储器设计技术等?st1:personname w:st="on" productid="陈怡然">陈怡然博士发表q超q?span lang="EN-US">30技术论文，拥有过50美国及(qing)国际专利甌以及(qing)一希捷公司商业机密?span lang="EN-US">

陈怡然博士在v内外半导体技术和集成?sh)\设计领域拥有深厚的媄响，现担d捷公司存储器事业部专利评审委员会(x)委员Q大学科研基金评审委员会(x)委员?span lang="EN-US">

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