?html> 王曦领导的研I小l研制出我国W一?英寸键合SOI晶片-清华校友M(x)

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王曦领导的研I小l研制出我国W一?英寸键合SOI晶片

2008-12-03 |

来源Q《科学时报?st1:chsdate w:st="on" isrocdate="False" islunardate="False" day="2" month="12" year="2008">2008q?span lang="EN-US">12?span lang="EN-US">2?/st1:chsdate>

　　记者从中国U学院上微pȝ与信息技术研I所hQ近日，该所研究员王曦领导的SOI研究组Q在上v新傲U技有限公司研发q_上，通过技术创斎ͼ制备出我国第一?st1:chmetcnv w:st="on" tcsc="0" numbertype="1" negative="False" hasspace="False" sourcevalue="8" unitname="英寸">8英寸键合SOI晶片Q实C(jin)SOI晶片制备技术的重要H破?span lang="EN-US">

　　q去Q该研究组因徏立了(jin)我国W一条高端硅基集成电(sh)路材?span lang="EN-US">SOI晶圆片生产线Q实C(jin)4?span lang="EN-US">6英寸SOI材料产业化，解决?jin)我?span lang="EN-US">SOI材料的有无问题，而获得国家科技q步奖一{奖?span lang="EN-US">

　　该研I小l的人员q没有满x取得的成l，面对国内外集成电(sh)路技术向大直径晶圆片升换代的大势Q又讄?jin)攻?st1:chmetcnv w:st="on" tcsc="0" numbertype="1" negative="False" hasspace="False" sourcevalue="8" unitname="英寸">8英寸大直?span lang="EN-US">SOI晶圆片的N。在开发过E中Q研Ih员克服了(jin)g条g不的困难，H破?jin)清z、键合、加固、研和抛光{一pd关键技术。通过攚w现有设备，实现?st1:chmetcnv w:st="on" tcsc="0" numbertype="1" negative="False" hasspace="False" sourcevalue="8" unitname="英寸">8英寸片的旋转式单片清洗工艺Q自主设计开发了(jin)大尺寸晶片键合^収ͼ在此基础上实C(jin)8英寸晶片键合Qƈ辑ֈ?jin)对键合q程和键合质量的实时监控Q通过对现有设备的升攚w，实现?jin)键合晶片的加固Q经q大量的研磨工艺实验Q反复比较研过E粗、精工Z砂轮转速等工艺参数Ҏ(gu)片的影响Q确定出较优研磨工艺Q随后，在现有抛光工艺基上，优化抛光料配比Q实C(jin)8英寸SOI晶片的精l抛光?span lang="EN-US">

　　有关专家认ؓ(f)Q?st1:chmetcnv w:st="on" tcsc="0" numbertype="1" negative="False" hasspace="False" sourcevalue="8" unitname="英寸">8英寸SOI晶圆片的成功开发，标志着王曦领导的研I开发小l已l掌握了(jin)大尺寔R?span lang="EN-US">SOI晶片制备的关键技术，为大寸键合SOI晶片的业化打下?jin)坚实基?span lang="EN-US">

据介l，在极大规模集成电(sh)路国安大科技专项中，宏力半导体公司和华润微电(sh)子等8英寸集成?sh)\刉代工企业安排了(jin)8英寸SOI先进?sh)\的研发和产业化项目，急需本土化的8英寸SOI衬底材料配套。上微pȝ所和上h傲公司联合开发的8英寸键合SOI晶圆片正是适应?jin)这些需求，hqK的市(jng)场前景?span lang="EN-US">

王曦Q?span lang="EN-US">1966q生Q?span lang="EN-US" style="color: black">1983q考入清华大学工物p，1987q提前一q毕业?span lang="EN-US">

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